外部量子效率eqe（nint）是一個微觀過程復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)與復(fù)合載流子總數(shù)之比。因為無法去計數(shù)復(fù)合載流子總數(shù)和產(chǎn)生的光子總數(shù)。因此一般是通過測量LED輸出的光功率來評價這一效率。直接躍遷過程比間接躍遷過程簡單，其外部量子效率取決于少數(shù)載流子的輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合的壽命。提高外量子效率主要在于提高材料的純度、完整性和改進PN結(jié)制作工藝的特性，以降低非輻射復(fù)合中心的濃度。

　　外部量子效率eqe的測試方法與步驟：

　　（1）將待測CCD芯片和標準探測器，以及它們各自的驅(qū)動電路放置在暗室中，并調(diào)節(jié)測量系統(tǒng)各部分儀器的參數(shù)。打開光源的開關(guān)，使電流保證在8.4到8.6安，打開單色儀開關(guān)，打開皮安表開關(guān)和移動位移臺的開關(guān)。

　　（2）通過上位機程序控制待測CCD芯片電子快門，調(diào)整CCD芯片的積分時間來控制CCD芯片的曝光時間和曝光量。（一般調(diào)好不用管）

　　（3）調(diào)節(jié)移動位移臺，將標準件調(diào)到和激光光斑重合處（目前大約41500）。

　　（4）記錄皮安表的數(shù)值，查表，找出對應(yīng)波長的數(shù)值，用皮安表的數(shù)值除以查表得出的值，得出功率值。（正好皮安對皮瓦）

　　（5）蓋住CCD相機的鏡頭，在CCD上位軟件上，連接設(shè)備，連續(xù)采圖，設(shè)置參數(shù)中輸入對應(yīng)波長，功率值后。再單擊量子效率，完成暗圖像的采集。

　　（6）調(diào)節(jié)移動位移臺，將CCD工業(yè)相機調(diào)到激光光斑重合處，（目前大約是回到原點）。

　　（7）揭開CCD的鏡頭，讓激光光斑打到CCD上，在設(shè)置參數(shù)中輸入對應(yīng)波長，功率值后，亮圖上打上對勾。再單擊量子效率，完成亮圖像的采集。

　　（8）記錄量子效率的值。

　　（9）在單色儀的上位軟件里，設(shè)定對應(yīng)波長，波長從400nm-780nm。設(shè)置起始波長為400nm，每隔20nm，重復(fù)（3）到（8）步驟測一次量子效率的值。直到780nm為止。

　　（10）繪制量子效率的曲線。